ਮੁਫ਼ਤ ਇੰਜੀਨੀਅਰਿੰਗ ਟੂਲ
ਸਮੱਗਰੀ ਅਨੁਸਾਰ ਮਨਜ਼ੂਰਯੋਗ ਤਣਾਅ
ASME VIII Div.1 ਜਾਂ EN 13445-3 ਅਨੁਸਾਰ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਮਨਜ਼ੂਰਸ਼ੁਦਾ ਤਣਾਅ (allowable stress) ਦੀ ਗਣਨਾ ਕਰੋ। ਤਾਪਮਾਨ-ਨਿਰਭਰ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ, ਕ੍ਰੀਪ ਰਪਚਰ ਜਾਂਚ, ਵੈਲਡ ਜੋੜ ਕੁਸ਼ਲਤਾ ਫੈਕਟਰ। 12+ ਸਮੱਗਰੀ ਗ੍ਰੇਡ।
ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਮਨਜ਼ੂਰਸ਼ੁਦਾ ਤਣਾਅ
EN 13445-3 (ਫੈਰਿਟਿਕ ਸਟੀਲ)
ASME VIII Div.1
ਤਾਪਮਾਨ ਡੀਰੇਟਿੰਗ
ਯੀਲਡ ਅਤੇ UTS ਦੋਵੇਂ ਤਾਪਮਾਨ ਦੇ ਨਾਲ ਘਟਦੇ ਹਨ। ਇਹ ਕੈਲਕੁਲੇਟਰ EN 10028 / ASME II-D ਡਾਟਾ 'ਤੇ ਆਧਾਰਿਤ ਲਾਈਨੀਅਰਾਈਜ਼ਡ ਡੀਰੇਟਿੰਗ ਕਰਵ ਵਰਤਦਾ ਹੈ:
- 100°C ਤੋਂ ਹੇਠਾਂ: ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਕਮਰੇ ਦੇ ਤਾਪਮਾਨ ਦੇ ਮੁੱਲਾਂ 'ਤੇ ਹੁੰਦੀਆਂ ਹਨ
- 100–400°C: ਹੌਲੀ-ਹੌਲੀ ਘਟਾਓ (ਯੀਲਡ, UTS ਨਾਲੋਂ ਤੇਜ਼ੀ ਨਾਲ ਘਟਦੀ ਹੈ)
- 400°C ਤੋਂ ਉੱਪਰ: ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਘਟਾਓ; ਕ੍ਰੀਪ ਨਿਯੰਤਰਕ ਹੋ ਸਕਦੀ ਹੈ
ਕ੍ਰੀਪ ਰੇਜੀਮ
ਜਦੋਂ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਤਾਪਮਾਨ ਕ੍ਰੀਪ ਸ਼ੁਰੂ ਹੋਣ ਦੇ ਤਾਪਮਾਨ ਤੋਂ ਵੱਧ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ ਸਮੇਂ-ਨਿਰਭਰ ਰੱਪਚਰ ਤਣਾਅ ਨਿਯੰਤਰਕ ਬਣ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਖਾਸ ਕ੍ਰੀਪ ਸ਼ੁਰੂਆਤ:
| ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਕਿਸਮ | ਕ੍ਰੀਪ ਸ਼ੁਰੂਆਤ (°C) | ਆਮ ਵੱਧ ਤੋਂ ਵੱਧ ਡਿਜ਼ਾਈਨ T |
|---|---|---|
| ਕਾਰਬਨ ਸਟੀਲ (S235, S355) | ~350 | 400°C |
| C-Mn ਪ੍ਰੈਸ਼ਰ (P265GH, P355GH) | ~380 | 450°C |
| Mo ਸਟੀਲ (16Mo3) | ~400 | 500°C |
| CrMo ਸਟੀਲ (13CrMo4-5) | ~450 | 550°C |
| 2¼Cr-1Mo (10CrMo9-10) | ~470 | 600°C |
| ਆਸਟੈਨੀਟਿਕ SS (304, 316L) | ~500 | 700°C |
ਵਿਹਾਰਕ ਉਦਾਹਰਣ
ਦਿੱਤਾ ਗਿਆ: P265GH, Rp(20)=265 MPa, Rm=410 MPa, T=250°C, ਵੈਲਡ E=1.0
Rp(250°C) ≈ 265 × 0.85 = 225.3 MPa (ਤਾਪਮਾਨ ਲਈ ਡੀਰੇਟਿੰਗ)
f_yield = 225.3 / 1.5 = 150.2 MPa
f_UTS = 410 / 2.4 = 170.8 MPa
f = min(150.2, 170.8) = 150.2 MPa (ਯੀਲਡ ਨਿਯੰਤਰਕ ਹੈ)
E=1.0 ਨਾਲ: σ_allow = 150.2 MPa
ਕਮਰੇ ਦੇ ਤਾਪਮਾਨ 'ਤੇ ਸਮੱਗਰੀ ਤੁਲਨਾ
| ਸਮੱਗਰੀ | Rp0.2 | Rm | f (EN) | S (ASME) |
|---|---|---|---|---|
| S235JR | 235 | 360 | 150 | 103 |
| S355JR | 355 | 510 | 213 | 146 |
| P265GH | 265 | 410 | 171 | 117 |
| P355GH | 355 | 490 | 204 | 140 |
| 16Mo3 | 280 | 450 | 187 | 129 |
| 13CrMo4-5 | 295 | 460 | 192 | 131 |
| 10CrMo9-10 | 275 | 450 | 183 | 129 |
| 304 SS | 210 | 520 | 140 | 138 |
| 316L SS | 200 | 500 | 133 | 133 |
| 2205 ਡੁਪਲੈਕਸ | 450 | 620 | 258 | 177 |
⚠️ ਨੋਟ: ਇਹ ਕੈਲਕੁਲੇਟਰ ਸ਼ੁਰੂਆਤੀ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਲਈ ਅੰਦਾਜ਼ਨ ਮੁੱਲ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦਾ ਹੈ। ਆਪਣੇ ਖਾਸ ਸਮੱਗਰੀ ਗ੍ਰੇਡ, ਉਤਪਾਦ ਰੂਪ, ਮੋਟਾਈ ਅਤੇ ਤਾਪਮਾਨ ਲਈ ਹਮੇਸ਼ਾ ਅਸਲ ਕੋਡ ਸਾਰਣੀਆਂ (ASME II-D, EN 10028, EN 10222) ਨਾਲ ਪੁਸ਼ਟੀ ਕਰੋ।
ਮਨਜ਼ੂਰਸ਼ੁਦਾ ਤਣਾਅ ਕਿਸੇ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਕੀਤੇ ਘਟਕ ਵਿੱਚ ਆਗਿਆ ਦਿੱਤਾ ਗਿਆ ਵੱਧ ਤੋਂ ਵੱਧ ਤਣਾਅ ਹੈ। ਇਹ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਮਜ਼ਬੂਤੀ ਨੂੰ ਕੋਡ ਵਿੱਚ ਨਿਰਧਾਰਤ ਸੁਰੱਖਿਆ ਗੁਣਾਂਕ ਨਾਲ ਭਾਗ ਦੇ ਕੇ ਮਿਲਦਾ ਹੈ। ਇਸ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਉਂਦੀ ਹੈ ਕਿ ਘਟਕ ਢੁਕਵੇਂ ਸੁਰੱਖਿਆ ਮਾਰਜਿਨ ਨਾਲ ਆਮ (ਜਾਂ ਅਸਧਾਰਨ) ਲੋਡ ਹੇਠ ਫੇਲ ਨਹੀਂ ਹੋਵੇਗਾ।
ਵੱਖਰੇ ਕੋਡ ਵੱਖਰੇ ਸੁਰੱਖਿਆ ਗੁਣਾਂਕ ਵਰਤਦੇ ਹਨ, ਜਿਸ ਕਾਰਨ ਇੱਕੋ ਸਮੱਗਰੀ ਲਈ ਮਨਜ਼ੂਰਸ਼ੁਦਾ ਤਣਾਅ ਵੱਖਰਾ ਹੁੰਦਾ ਹੈ।
ASME VIII ਵਿੱਚ UTS ਲਈ 3.5 ਦਾ ਸੁਰੱਖਿਆ ਗੁਣਾਂਕ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ (2007 ਤੋਂ ਪਹਿਲਾਂ ਇਹ 4.0 ਸੀ), ਜਦਕਿ EN 13445 ਵਿੱਚ 2.4 ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਇਸ ਦਾ ਅਰਥ ਹੈ ਕਿ UTS ਮਾਪਦੰਡ ਉੱਤੇ ASME ਵੱਧ ਸਾਵਧਾਨੀ ਵਾਲਾ ਹੈ। ਹਾਲਾਂਕਿ ਪਰਾਭਵ ਲਈ ਦੋਵੇਂ 1.5 ਵਰਤਦੇ ਹਨ।
ਉੱਚ ਮਜ਼ਬੂਤੀ ਵਾਲੀਆਂ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਲਈ, ਜਿੱਥੇ ਪਰਾਭਵ ਨਿਰਣਾਇਕ ਹੁੰਦਾ ਹੈ (ਜਿਵੇਂ S355, 2205), ਦੋਵੇਂ ਕੋਡ ਮਿਲਦੇ-ਜੁਲਦੇ ਨਤੀਜੇ ਦਿੰਦੇ ਹਨ। ਘੱਟ ਮਜ਼ਬੂਤੀ ਵਾਲੀਆਂ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਲਈ, ਜਿੱਥੇ UTS ਨਿਰਣਾਇਕ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ASME ਕਾਫ਼ੀ ਵੱਧ ਸਾਵਧਾਨੀ ਵਾਲਾ ਹੈ।
ਤਾਪਮਾਨ ਵਧਣ ਨਾਲ ਪਰਾਭਵ ਮਜ਼ਬੂਤੀ ਅਤੇ UTS ਦੋਵੇਂ ਘਟਦੇ ਹਨ। ਪਰਾਭਵ ਮਜ਼ਬੂਤੀ ਵੱਧ ਤੇਜ਼ੀ ਨਾਲ ਘਟਦੀ ਹੈ। ਕ੍ਰੀਪ ਸ਼ੁਰੂ ਹੋਣ ਦੇ ਤਾਪਮਾਨ ਤੋਂ ਉੱਪਰ ਸਮੇਂ ਉੱਤੇ ਨਿਰਭਰ ਰਪਚਰ ਤਣਾਅ ਨਿਰਣਾਇਕ ਮਾਪਦੰਡ ਬਣ ਸਕਦਾ ਹੈ।
ਉਦਾਹਰਨ: 400°C ਉੱਤੇ S355 ਦਾ Rp ≈ 297 MPa ਹੁੰਦਾ ਹੈ (RT ਉੱਤੇ 355 ਦੇ ਮੁਕਾਬਲੇ), ਇਸ ਲਈ ਮਨਜ਼ੂਰਸ਼ੁਦਾ ਤਣਾਅ 213 ਤੋਂ ਘਟ ਕੇ ~173 MPa (EN) ਹੋ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।
ਕ੍ਰੀਪ ਇਨ੍ਹਾਂ ਤਾਪਮਾਨਾਂ ਤੋਂ ਉੱਪਰ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਹੁੰਦਾ ਹੈ: ਕਾਰਬਨ ਸਟੀਲ ਲਈ ~350°C, Mo ਸਟੀਲ ਲਈ ~400°C, CrMo ਲਈ ~450°C, ਆਸਟੇਨਿਟਿਕ SS ਲਈ ~500°C। ਇਨ੍ਹਾਂ ਤਾਪਮਾਨਾਂ ਤੋਂ ਉੱਪਰ, 100,000h ਦਾ ਕ੍ਰੀਪ ਰਪਚਰ ਤਣਾਅ ਆਪਣੇ ਸੁਰੱਖਿਆ ਗੁਣਾਂਕ ਨਾਲ ਭਾਗ ਦੇਣ ਤੋਂ ਬਾਅਦ ਪਰਾਭਵ-ਆਧਾਰਿਤ ਮਨਜ਼ੂਰਸ਼ੁਦਾ ਤਣਾਅ ਨਾਲੋਂ ਘੱਟ ਹੋ ਸਕਦਾ ਹੈ।
ਵੈਲਡ ਜੋੜ ਦਾ ਕੁਸ਼ਲਤਾ ਗੁਣਾਂਕ (E ਜਾਂ z) ਸੰਭਾਵੀ ਵੈਲਡ ਦੋਸ਼ਾਂ ਨੂੰ ਧਿਆਨ ਵਿੱਚ ਰੱਖਦਾ ਹੈ:
- E=1.0: ਸਾਰੇ ਵੈਲਡਾਂ ਦੀ ਪੂਰੀ ਰੇਡੀਓਗ੍ਰਾਫਿਕ ਜਾਂ ਅਲਟਰਾਸੋਨਿਕ ਜਾਂਚ
- E=0.85: ਚੁਣੀਆਂ ਥਾਵਾਂ ਉੱਤੇ (ਅੰਸ਼ਕ) ਰੇਡੀਓਗ੍ਰਾਫਿਕ ਜਾਂਚ
- E=0.7: ਕੋਈ ਆਇਤਨਕ NDE ਨਹੀਂ (ਸਿਰਫ਼ ਦ੍ਰਿਸ਼ਟੀਗਤ ਜਾਂਚ)
ਪ੍ਰਭਾਵੀ ਮਨਜ਼ੂਰਸ਼ੁਦਾ ਤਣਾਅ = σ_allow × E। E=1.0 ਵਰਤਣ ਲਈ ਵੱਧ NDE ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਪਰ ਇਸ ਨਾਲ ਪਤਲੀਆਂ ਕੰਧਾਂ ਵਰਤੀਆਂ ਜਾ ਸਕਦੀਆਂ ਹਨ।
ਇਸ ਪੰਨੇ 'ਤੇ ਦੱਸੀਆਂ ਗਈਆਂ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ Vibromera ਟੀਮ ਦੁਆਰਾ Balanset-1A ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਵਿਕਸਤ ਅਤੇ ਫੀਲਡ ਵਿੱਚ ਟੈਸਟ ਕੀਤੀਆਂ ਗਈਆਂ ਸਨ, ਜੋ ਕਿ ਇੱਕ ਪੋਰਟੇਬਲ ਡੁਅਲ-ਚੈਨਲ ਬੈਲੈਂਸਰ ਅਤੇ ਵਾਈਬ੍ਰੇਸ਼ਨ ਐਨਾਲਾਈਜ਼ਰ ਹੈ, ਜੋ ਸਾਈਟ 'ਤੇ ਰੋਟਰ ਬੈਲੈਂਸਿੰਗ ਲਈ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।
ਪੇਸ਼ੇਵਰ ਫੀਲਡ ਯੰਤਰ। 50+ ਦੇਸ਼ਾਂ ਵਿੱਚ ਵਰਤੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ।
